PECVD等离子体化学气相沉积系统。该产品是由固态等离子源、气体质子流量控制系统、衬底控温系统、真空系统组成，采用集中总线控制技术的诺巴迪操作软件。适用于室温至1200℃条件下进行SiO2、SiNx薄膜的沉积，同时可实现TEOS源沉积，SiC膜层沉积以及液态气态源沉积其它材料，尤其适合于有机材料上高效保护层膜和特定温度下无损伤钝化膜的沉积。